| German |
| has gloss | deu: Phase-change RAM (Abk.: PCRAM oder PRAM, in einer speziellen Ausführung auch „Ovonics Unified Memory“,OUM , oder „chalcogenide RAM“, C-RAM) ist ein neuartiger nicht flüchtiger Speicher in der Elektronik (Stand 2009). Das Wirkprinzip des Speichers ist die Änderung des elektrischen Widerstandes des Speichermaterials in Abhängigkeit davon, ob es in amorpher (hoher Widerstand / RESET state) oder in kristalliner (niedriger Widerstand / SET state) Phase vorliegt. Das benutzte Material ist dabei eine Chalkogenid-Legierung (Chalkogen-Verbindung) – ähnlich dem Material, das ebenfalls unter Ausnutzung von Phasenwechsel bei einer CD-RW bzw. DVD-RAM für die Datenspeicherung sorgt. Die dabei genutzten Materialkombinationen bestehen z. B. aus Germanium, Antimon und Tellur (häufig Legierungen aus den beiden Verbindungen GeTe und Sb2Te3). |
| lexicalization | deu: Phase Change Random Access Memory |
| lexicalization | deu: Phase-change random access memory |
| French |
| has gloss | fra: La mémoire PRAM, pour (ou , ou encore C-RAM en anglais) est un type de mémoire dordinateur non volatile encore à létat de recherche et développement. |
| lexicalization | fra: Phase-Change Random Access Memory |
| Italian |
| has gloss | ita: La Memoria a cambiamento di fase (nota anche come Phase-change memory, PCM o Ovonic Unified Memory, OUM) è un tipo di memoria non volatile a stato solido di nuova generazione, il cui materiale standard è una lega calcogenura composta da Germanio (Ge), Antimonio (Sb), Tellurio (Te) chiamata GST(composizione Ge2Sb2Te5), in grado di cambiare fase (cristallina o amorfa) in modo reversibile e controllato per mezzo di una corrente di programmazione che attraversa la cella di memoria che, riscaldando in modo opportuno il GST, induce il cambiamento di fase. Lutilizzo delle due differenti fasi in una memoria elettronica digitale nasce dallosservazione sperimentale di una bassa resistenza elettrica per la fase cristallina (1 logico) e di unelevata resistenza elettrica per quella amorfa (0 logico). Il medesimo materiale e il medesimo concetto di immagazzinamento digitale di informazione sono stati utilizzati a partire dai primi anni 90 nelle applicazioni per dischi ottici (CD e DVD), nei quali il cambiamento di fase del materiale comporta il cambiamento locale di riflettività. |
| lexicalization | ita: Memoria a cambiamento di fase |
| Japanese |
| has gloss | jpn: PRAM * 疑似SRAMの略(Pseudo SRAM, Pseudo RAM) * Phase change RAMの略。本項目で詳述。 * 並列ランダムアクセス機械 (Parallel Random Access Machine) の略。 ---- PRAM (Phase change RAM)は、相変化記録技術を利用した、不揮発性の半導体メモリ。 |
| lexicalization | jpn: PRAM |
| Korean |
| has gloss | kor: 피램(또는 상변화 메모리, )은 비휘발성 메모리의 한 종류이며, 플래시 메모리의 비휘발성과, RAM의 빠른 속도의 장점을 모두 가지고 있는 차세대 메모리 반도체이다. |
| lexicalization | kor: PRAM |
| Dutch |
| has gloss | nld: Phase-change random-access memory (PCRAM) is een opslagmedium voor de computer. Soms wordt de afkorting PRAM en ook wel Phase-change memory gebruikt. |
| lexicalization | nld: PCRAM |
| Polish |
| has gloss | pol: PRAM (PCRAM – Phase Change RAM) – typ pamięci nieulotnej opartej na nośniku krystalicznym. Wykorzystano zjawisko zmiany fazy punktów nośnika z krystalicznej na amorficzną (i odwrotnie) za pomocą podgrzewania impulsami elektrycznymi. Odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji nośnika (różna dla różnych faz). Nośnikiem jest stop tellurku antymonu i tellurku galu, podobny do stosowanego w płytach CD-RW. |
| lexicalization | pol: PRAM |
| Russian |
| has gloss | rus: Phase-change memory (память на основе фазового перехода) (также известна как PCM, PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM и C-RAM) — новый тип энергонезависимой памяти. PRAM основывается на уникальном поведении халькогенида, которые при нагреве может «переключаться» между двумя состояниями: кристаллическим и аморфным. В последних версиях смогли добавить еще два дополнительных состояния, эффективно удвоив информационную емкость чипов. PRAM — одна из новых технологий памяти, созданная в попытке превзойти в области энергонезависимой памяти почти универсальную флеш-память, обладающую некоторым количеством практических проблем, решить которые как раз надеялись в PRAM. |
| lexicalization | rus: Память с изменением фазового состояния |
| Castilian |
| has gloss | spa: La memoria de cambio de fase (phase-change RAM, también llamada PRAM, PCRAM, PCM, Ovonic unified memory —memoria ovónica unificada— y C-RAM, de calcógeno) es un tipo de memoria no volátil. Utiliza vidrio calcógeno (anfígeno) que puede configurarse en uno de dos estados, cristalino y amorfo por medio del uso de calor. Es parte de un grupo de nuevas tecnologías de memoria que buscan competir con la memoria Flash en el campo de las memorias no volátiles supliendo las carencias de ésta. |
| lexicalization | spa: PRAM |
| Swedish |
| has gloss | swe: PRAM, förkortning för Phase-change Random Access Memory, är en nyutvecklad datorminnestyp som förväntas vara lätt att tillverka och utrymmessnål, vilket ger billiga minnen. Det ska likt flashminnet spara data även vid strömbortfall och ska vara lika snabbt som RAM-minnet då data inte behövs raderas innan ny skrives. |
| lexicalization | swe: PRAM |
